1.什么叫場(chǎng)效應(yīng)管？
    FET是Field-Effect-Transistor的縮寫(xiě),即為場(chǎng)效應(yīng)晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。FET應(yīng)用范圍很廣,但不能說(shuō)現(xiàn)在普及的雙極型晶體管都可以用FET替代。然而，由于FET的特性與雙極型晶體管的特性完全不同，能構(gòu)成技術(shù)性能非常好的電路。

2. 場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理：
 
(a) JFET的概念圖
 
(b) JFET的符號(hào)

    圖1(b)門極的箭頭指向?yàn)閜指向 n方向，分別表示內(nèi)向?yàn)閚溝道JFET，外向?yàn)閜溝道JFET。 圖1（a）表示n溝道JFET的特性例。以此圖為基礎(chǔ)看看JFET的電氣特性的特點(diǎn)。
    首先，門極-源極間電壓以0V時(shí)考慮（VGS =0）。在此狀態(tài)下漏極-源極間電壓VDS 從0V增加，漏電流ID幾乎與VDS 成比例增加，將此區(qū)域稱為非飽和區(qū)。VDS 達(dá)到某值以上漏電流ID 的變化變小，幾乎達(dá)到一定值。此時(shí)的ID 稱為飽和漏電流（有時(shí)也稱漏電流用IDSS 表示。與此IDSS 對(duì)應(yīng)的VDS 稱為夾斷電壓VP ，此區(qū)域稱為飽和區(qū)。 其次在漏極-源極間加一定的電壓VDS (例如0.8V)，VGS 值從0開(kāi)始向負(fù)方向增加，ID 的值從IDSS 開(kāi)始慢慢地減少，對(duì)某VGS 值ID =0。將此時(shí)的VGS 稱為門極-源極間遮斷電壓或者截止電壓，用VGS (off)示。n溝道JFET的情況則VGS (off) 值帶有負(fù)的符號(hào),測(cè)量實(shí)際的JFET對(duì)應(yīng)ID =0的VGS 因?yàn)楹芾щy,在放大器使用的小信號(hào)JFET時(shí),將達(dá)到ID =0.1-10μA 的VGS 定義為VGS (off) 的情況多些。 關(guān)于JFET為什么表示這樣的特性，用圖作以下簡(jiǎn)單的說(shuō)明。
 
    場(chǎng)效應(yīng)管工作原理用一句話說(shuō)，就是"漏極-源極間流經(jīng)溝道的I_D ，用以門極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的門極電壓控制I_D "。更正確地說(shuō)，ID 流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。 在VGS =0的非飽和區(qū)域，圖10.4.1(a)表示的過(guò)渡層的擴(kuò)展因?yàn)椴缓艽螅�根�?jù)漏極-源極間所加VDS的電場(chǎng)，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流I_D 流動(dòng)。達(dá)到飽和區(qū)域如圖10.4.2(a)所示，從門極向漏極擴(kuò)展的過(guò)度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型，I_D飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過(guò)渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。 在過(guò)渡層由于沒(méi)有電子、空穴的自由移動(dòng)，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動(dòng)。但是此時(shí)漏極-源極間的電場(chǎng)，實(shí)際上是兩個(gè)過(guò)渡層接觸漏極與門極下部附近，由于漂移電場(chǎng)拉去的高速電子通過(guò)過(guò)渡層。 如圖10.4.1(b)所示的那樣，即便再增加VDS ，因漂移電場(chǎng)的強(qiáng)度幾乎不變產(chǎn)生I_D 的飽和現(xiàn)象。 其次，如圖10.4.2(c)所示，VGS 向負(fù)的方向變化，讓VGS =VGS (off) ，此時(shí)過(guò)渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài)。而且VDS 的電場(chǎng)大部分加到過(guò)渡層上，將電子拉向漂移方向的電場(chǎng)，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。