pn結(jié)的形成/多晶硅中PN結(jié)是怎樣形成的？

一、PN結(jié)及其形成過程　　
在雜質(zhì)半導(dǎo)體中， 正負(fù)電荷數(shù)是相等的，它們的作用相互抵消，因此保持電中性�！�
　1、載流子的濃度差產(chǎn)生的多子的擴(kuò)散運動　　在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合后，在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差，N型區(qū)內(nèi)的電子很多而空穴很少，P型區(qū)內(nèi)的空穴而電子很少，這樣電子和空穴很多都要從濃度高的地方向濃度低的地方擴(kuò)散，因此，有些電子要從N型區(qū)向P型區(qū)擴(kuò)散， 也有一些空穴要從P型區(qū)向N型區(qū)擴(kuò)散。

　　2、電子和空穴的復(fù)合形成了空間電荷區(qū)　　電子和空穴帶有相反的電荷，它們在擴(kuò)散過程中要產(chǎn)生復(fù)合（中和），結(jié)果使P區(qū)和N區(qū)中原來的電中性被破壞。 P區(qū)失去空穴留下帶負(fù)電的離子，N區(qū)失去電子留下帶正電的離子， 這些離子因物質(zhì)結(jié)構(gòu)的關(guān)系，它們不能移動，因此稱為空間電荷，它們集中在P區(qū)和N區(qū)的交界面附近，形成了一個很薄的空間電荷區(qū)，這就是所謂的PN結(jié)�！�

　3、空間電荷區(qū)產(chǎn)生的內(nèi)電場E又阻止多子的擴(kuò)散運動　　在空間電荷區(qū)后，由于正負(fù)電荷之間的相互作用，在空間電荷區(qū)中形成一個電場，其方向從帶正電的N區(qū)指向帶負(fù)電的P區(qū)，由于該電場是由載流子擴(kuò)散后在半導(dǎo)體內(nèi)部形成的，故稱為內(nèi)電場。因為內(nèi)電場的方向與電子的擴(kuò)散方向相同，與空穴的擴(kuò)散方向相反，所以它是阻止載流子的擴(kuò)散運動的。綜上所述，PN結(jié)中存在著兩種載流子的運動。一種是多子克服電場的阻力的擴(kuò)散運動；另一種是少子在內(nèi)電場的作用下產(chǎn)生的漂移運動。因此，只有當(dāng)擴(kuò)散運動與漂移運動達(dá)到動態(tài)平衡時，空間電荷區(qū)的寬度和內(nèi)建電場才能相對穩(wěn)定。由于兩種運動產(chǎn)生的電流方向相反，因而在無外電場或其他因素激勵時，PN結(jié)中無宏觀電流。

上大學(xué)時貪玩，對于電路，模擬電子，數(shù)字電子，高頻，電子測量以及信號與系統(tǒng)等等課程可以用沒學(xué)來形容。目前主要從事單片機(jī)程序的開發(fā)，偶爾也設(shè)計一下簡單的電路，在與他人交流時發(fā)現(xiàn)，原來那些基礎(chǔ)非常之重要，讓自己感到非常的愧疚，一直以來想惡補(bǔ)一下，忙亂中看了看運放的基礎(chǔ)知識，發(fā)現(xiàn)還是不夠底層，才發(fā)現(xiàn)還需要從PN結(jié)，二極管，三極管學(xué)起。一直很納悶為什么有些東西在別人的腦子里就像1+1一樣，而到自己這里卻跟天書一樣。一直以為是自己的記憶力衰退了，什么東西看過了，很快就忘記了，沒有印象，但是又不愿意承認(rèn)自己就是學(xué)不會模擬電子，硬是耐著性子繼續(xù)看書，現(xiàn)在終于有點概念了，閉上眼睛知道哪個電子在往哪里跑，知道了什么叫N型半導(dǎo)體，什么叫P型半導(dǎo)體，知道了PN結(jié)的形成過程，知道了結(jié)電容的概念。

二、半導(dǎo)體所涉及到的概念：

1、本征激發(fā)：本征半導(dǎo)體共價鍵中的價電子在室溫下獲得足夠的能量掙脫共價鍵的束縛成為自由電子的現(xiàn)象。本征激發(fā)產(chǎn)生電子—空穴對。

2、P型半導(dǎo)體：

P型半導(dǎo)體  在硅（或鍺）晶體內(nèi)摻入微量的三價元素硼B(yǎng)（或銦In、鋁Al），就會多出許多空穴。這類半導(dǎo)體主要靠空穴導(dǎo)電叫P型半導(dǎo)體。在P型半導(dǎo)體中，空穴是多數(shù)載流子，自由電子是少數(shù)載流子，在外電場作用下， P型半導(dǎo)體中電流主要是空穴電流。

3、N型半導(dǎo)體：

N型半導(dǎo)體 在硅（或鍺）晶體內(nèi)摻入微量的五價元素磷P（或銻Sb、砷As），就會多出許多電子來導(dǎo)電。這是有少數(shù)空穴，但自由電子的濃度比空穴的濃度大得多，這類半導(dǎo)體主要靠電子導(dǎo)電叫N型半導(dǎo)體。在N型半導(dǎo)體中，自由電子是多數(shù)載流子，空穴是少數(shù)載流子，在外電場作用下， N型半導(dǎo)體中電流主要是電子電流。

4、PN結(jié)形成過程：

三、形成PN結(jié)的幾種方法

在本章一開始就已講過，PN結(jié)是半導(dǎo)體器件的心臟。它是根據(jù)雜質(zhì)補(bǔ)償原理，通過摻雜來得到的。具體形成PN結(jié)的方法有以下幾種：

①、生長法

生長法又可分為單晶生長法和外延生長法兩種。單晶生長法是最原始的方法。它的工藝過程大體是這樣的：在生長單晶時，先在半導(dǎo)體中摻入施主型雜質(zhì)，這樣先生長出來的部分晶體是N型的，然后再摻入受主型雜質(zhì)，它的濃度要遠(yuǎn)高于先摻入的施主型雜質(zhì)，這樣，后生長出來部分的晶體就成為P型。最早的面結(jié)型二極管是使用這種方法制成的。這種PN結(jié)的制造方法缺點很多，如工藝復(fù)雜、結(jié)面不平整、控制困難等，所以這種方法早已淘汰。外延生長法是大家比較熟悉并被普遍采用的一種方法。它是利用汽相淀積方法在P型的襯底上生長一層N型層，在制造雙極型集成電路以及某些大功率晶體管中都采用這種方法。

②、合金法

這是早期普遍采用的PN結(jié)制造工藝。它是通過一種導(dǎo)電類型雜質(zhì)的合金熔化后摻入到另一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體中去，經(jīng)過再結(jié)晶而形成的，所以叫合金法。這種方法的優(yōu)點是工藝簡單、成熟、引線焊接方便，是生產(chǎn)晶體管的基本工藝之一。但是，合金法也存在一些缺點，如結(jié)面不平整、結(jié)深和結(jié)面的大小不易控制、合金法制成的器件頻率較低等。

③、擴(kuò)散法

擴(kuò)散法制造PN結(jié)是利用雜質(zhì)在高溫下向半導(dǎo)體內(nèi)部擴(kuò)散，使P型雜質(zhì)進(jìn)入N型半導(dǎo)體或N型雜質(zhì)進(jìn)入P型半導(dǎo)體來形成PN結(jié)的。擴(kuò)散法形成PN結(jié)有很多優(yōu)點，如能精確控制PN結(jié)的結(jié)深和結(jié)面積、結(jié)面平整、能精確控制雜質(zhì)濃度等。所以，擴(kuò)散法是目前最常用的一種制造PN結(jié)的方法。

④、離子注入法

擴(kuò)散法雖然優(yōu)點很多，但隨著半導(dǎo)體器件的發(fā)展，對器件的要求也越來越高。擴(kuò)散法形成PN的精度已不能滿足某些器件的要求。其次，由于擴(kuò)散是在1000℃左右的高溫中進(jìn)行的，所以晶體的晶格會受到破壞，晶格缺陷增多，使器件的電性能下降。另外，用擴(kuò)散法制造結(jié)深較淺的PN結(jié)也有困難。

離子注入法是一種新工藝。這種方法是先把雜質(zhì)原子變成電離的雜質(zhì)離子。然后，雜質(zhì)的離子流在極強(qiáng)的電場下高速地射向硅片，并進(jìn)入硅片內(nèi)部。電場強(qiáng)度越強(qiáng)，雜質(zhì)離子射入硅片就越深。離子流密度越大，轟擊硅片的時間越長，則進(jìn)入硅片的雜質(zhì)就越多。所以，適當(dāng)控制電場強(qiáng)度、離子流密度和轟擊時間，就可精確地得到所要求的結(jié)深和雜質(zhì)濃度的PN結(jié)。另外，離子注入法還可以任意改變半導(dǎo)體內(nèi)的雜質(zhì)分布。

離子注入法的缺點是設(shè)備較復(fù)雜而且價格昂貴、生產(chǎn)效率比擴(kuò)散法低、不適用制造結(jié)深較深的器件。但是，由于離子注入的獨特優(yōu)點而越來越受到人們的重視，所以在一些特殊要求的器件中，應(yīng)用越來越廣泛。