擴散電容C_D

PN結正向導電時，多子擴散到對方區(qū)域后，在PN結邊界上積累，并有一定的濃度分布。積累的電荷量隨外加電壓的變化而變化，當PN結正向電壓加大時，正向電流隨著加大，這就要求有更多的載流子積累起來以滿足電流加大的要求；而當正向電壓減小時，正向電流減小，積累在P區(qū)的電子或N區(qū)的空穴就要相對減小，這樣，當外加電壓變化時，有載流子的向PN結“充入”和“放出”。，PN結的擴散電容C_D描述了積累在P區(qū)的電子或N區(qū)的空穴隨外加電壓的變化的電容效應。

C_D是非線性電容，PN結正偏時，C_D較大，反偏時載流子數(shù)目很少，因此反偏時擴散電容數(shù)值很小。一般可以忽略。