1、物質(zhì)的分類
　　按照導(dǎo)電能力的大小可以分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體。導(dǎo)電能力用電阻率衡量。
　　導(dǎo)體：具有良好導(dǎo)電性能的物質(zhì)，如銅、鐵、鋁  電阻率一般小于10－4Ω•cm
　　絕緣體：導(dǎo)電能力很差或不導(dǎo)電的物質(zhì)，如玻璃、陶瓷、塑料。
　　電阻率在108Ω•cm以上
　　半導(dǎo)體：導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)，如鍺、硅。
　　純凈的半導(dǎo)體硅的電阻率約為241000Ω•cm
　　2、半導(dǎo)體的特性
　　與導(dǎo)體、絕緣體相比，半導(dǎo)體具有三個顯著特點：
　　（1）電阻率的大小受雜質(zhì)含量多少的影響極大，如硅中只要摻入百萬分之一的雜質(zhì)硼，硅的電阻率就會從241000Ω•cm下降到0.4Ω•cm，變化了50多萬倍；
　　（2）電阻率受環(huán)境溫度的影響很大。
　　例如：溫度每升高8℃時，純凈硅的電阻率就會降低一半左右；金屬每升高10℃時，電阻率只增加4％左右。
　　熱敏電阻：正溫度系數(shù)—隨著溫度的升高，電阻阻值增加 。
　　負溫度系數(shù)―隨著溫度的升高，電阻阻值減小 。
　　（3）光線的照射也會明顯地影響半導(dǎo)體地導(dǎo)電性能。      光敏電阻
　　3、半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)
　　半導(dǎo)體材料鍺和硅都是四價元素，它們原子核外層有四個價電子。正常情況下電子受原子核的束縛，不能任意移動，所以導(dǎo)電性能差。因為物體的導(dǎo)電是靠帶電荷的粒子定向移動來實現(xiàn)的。
　　當(dāng)向半導(dǎo)體內(nèi)摻入雜質(zhì)后，晶體內(nèi)部原有的平衡被打破，當(dāng)摻入硼原子時，它外層原有的三個價電子和周圍的硅原子中的價電子形成“共價鍵”。這時硅原子不再呈電中性，好像失去了一個帶負電的價電子，留下空位，稱它為“空穴”。由于空穴有接收電子的性質(zhì)，相當(dāng)于一個正電荷。當(dāng)摻入磷原子，它外層有五個價電子，形成共價鍵時就多出了一個價電子。此電子可以自由參加導(dǎo)電。把半導(dǎo)體中載運電荷的粒子稱為載流子，帶負電的自由電子和帶正電的空穴都是半導(dǎo)體中的載流子。在摻雜的半導(dǎo)體中電子和空穴的數(shù)目是不相等的，這就有多數(shù)載流子和少數(shù)載流子之分。
　　載流子―在電場作用下，能作定向運動的粒子。
　　在半導(dǎo)體中，載流子有兩種：自由電子和空穴。
　　4、本征半導(dǎo)體
　　完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體。（純凈度 99.99999%）
　　5、雜質(zhì)半導(dǎo)體
　　在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。這種半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。
　　根據(jù)所摻雜質(zhì)的不同，分為P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體 。
　　（1）P型半導(dǎo)體：在本征半導(dǎo)體中摻入適量三價元素（硼、鋁），形成空穴型（P型）半導(dǎo)體。它的導(dǎo)電能力大大高于本征半導(dǎo)體。
　　①多子（主要導(dǎo)電的載粒子）：空穴。
　　②少子：自由電子（熱激發(fā)形成）。
　　（2）N型半導(dǎo)體：在本征半導(dǎo)體中摻入適量五價元素（磷、銻），形成自由電子型（N型）半導(dǎo)體。
　　①多子（主要導(dǎo)電的載粒子）：自由電子。
　　②少子：空穴（熱激發(fā)形成）。
　　在兩種雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多子是主要導(dǎo)電媒介，數(shù)量取決于雜質(zhì)含量；少子是本征激發(fā)產(chǎn)生的，數(shù)量取決于環(huán)境溫度。雖然雜質(zhì)半導(dǎo)體含有數(shù)量不同的兩種載流子，但整體上電量平衡，對外不顯電性。