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會(huì)員注冊(cè)- 2018/4/25什么是空穴?半導(dǎo)體技術(shù)
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- 來(lái)源：本站原創(chuàng)作者：佚名點(diǎn)擊數(shù)：5510
- 2017/7/12圖解三極管的基本結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)
- 把基極電流的微小變化能夠引起集電極電流較大變化的特性稱(chēng)為晶體管的電流放大作用。 實(shí)質(zhì):用一個(gè)微小電流的變化去控制一個(gè)較大電流的變化。 三極管放大的外部條件：發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏 從電位的角度 ...[閱讀全文]
- 來(lái)源：本站原創(chuàng)作者：佚名點(diǎn)擊數(shù)：2095
- 2017/7/12圖示三極管的伏安特性曲線(xiàn)
- 三極管的伏安特性曲線(xiàn)可由共射接法的輸入特性曲線(xiàn)和輸出特性曲線(xiàn)來(lái)說(shuō)明： 1. 輸入特性曲線(xiàn) 是指當(dāng) U CE 不變時(shí)，輸入電壓 U BE 和輸入電流 I B 之間的關(guān)系曲線(xiàn)，如圖1.6所示。[閱讀全文]
- 來(lái)源：本站原創(chuàng)作者：佚名點(diǎn)擊數(shù)：2483
- 2017/4/29CMOS和TTL集成門(mén)電路多余輸入端處理，三態(tài)門(mén)之高阻態(tài)的理解
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- 來(lái)源：本站原創(chuàng)作者：佚名點(diǎn)擊數(shù)：2249
- 2016/11/17半導(dǎo)體的基本知識(shí)
- 按照導(dǎo)電能力的大小可以分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體。導(dǎo)電能力用電阻率衡量。[閱讀全文]
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- 2016/11/17什么是本征半導(dǎo)體?本征半導(dǎo)體載流子濃度
- 通過(guò)一定的工藝過(guò)程，可以將半導(dǎo)體制成晶體。完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體稱(chēng)為本征半導(dǎo)體。 1、本征半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu) 在硅和鍺晶體中，原子在空間形成規(guī)則的晶體點(diǎn)陣，每個(gè)原子都處在正四面體的中心，而四個(gè)其它原子位于四面體[閱讀全文]
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- 2016/11/3二極管的理想模型
- 理想二極管的V–I 特性如圖(a)藍(lán)色線(xiàn)所示，虛線(xiàn)表示實(shí)際二極管的V–I 特性。[閱讀全文]
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- 2016/11/3二極管的V-I特性
- 半導(dǎo)體二極管的V–I 特性如圖所示。下面對(duì)V–I 特性分三部分加以說(shuō)明。 二極管的V–I 特性曲線(xiàn)1．正向特性 正向特性表現(xiàn)為圖中的①段。此時(shí)正向電壓較小，正向電流幾乎為零。此工作區(qū)域稱(chēng)為死區(qū)。[閱讀全文]
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- 2016/11/3二極管的小信號(hào)模型
- 二極管的小信號(hào)模型：二極管小信號(hào)模型如圖(b)所示。如果二極管在圖（a）中的靜態(tài)工作點(diǎn)Q（vD=VD，iD=ID）附近工作，則可把V-I 特性看成為一條直線(xiàn)，其斜率的倒數(shù)就是所要求的小信號(hào)模型的微變電阻rd， rd=dvD/diD[閱讀全文]
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- 2016/11/3半導(dǎo)體二極管的開(kāi)關(guān)特性
- 因?yàn)榘雽?dǎo)體二極管具有單向?qū)щ娦裕运喈?dāng)于一個(gè)受外加電壓極性控制的開(kāi)關(guān)。 (a) 開(kāi)關(guān)電路 (b)輸入高電平時(shí)的等效電路 (c)輸入低電平時(shí)的等效電路 圖1 二極管靜態(tài)開(kāi)關(guān)電路及其等效電路 二極管動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)特性。[閱讀全文]
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- 2016/11/3半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)特性
- 數(shù)字電路中的晶體二極管、晶體三極管（簡(jiǎn)稱(chēng)BJT）和MOS管等器件一般是以開(kāi)關(guān)方式運(yùn)用的。[閱讀全文]
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- 2016/11/3半導(dǎo)體的光電效應(yīng)
- 半導(dǎo)體材料的光電效應(yīng)是指如下情況：光照射到半導(dǎo)體的P-N結(jié)上，若光子能量足夠大，則半導(dǎo)體材料中價(jià)帶的電子吸收光子的能量，從價(jià)帶越過(guò)禁帶到達(dá)導(dǎo)帶，在導(dǎo)帶中出現(xiàn)光電子，在價(jià)帶中出現(xiàn)光空穴，即光電子．空穴對(duì)[閱讀全文]
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- 2016/10/19二極管的電容效應(yīng)
- 二極管具有電容效應(yīng)。它的電容包括勢(shì)壘電容CB和擴(kuò)散電容CD。1．勢(shì)壘電容CB（Cr）前面已經(jīng)講過(guò)，PN結(jié)內(nèi)缺少導(dǎo)電的載流子，其電導(dǎo)率很低，相當(dāng)于介質(zhì)；而PN結(jié)兩側(cè)的P區(qū)、N區(qū)的電導(dǎo)率高，相當(dāng)于金屬導(dǎo)體。從這一結(jié)構(gòu)來(lái) ...[閱讀全文]
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- 2016/10/19二極管的恒壓降模型
- 二極管的恒壓降模型及代表符號(hào)如圖所示。該模型建立的基本思想是當(dāng)二極管導(dǎo)通后，其管壓降可認(rèn)為是恒定的，不隨電流而變，且導(dǎo)通電壓的典型值為0.7V（硅管）。此模型只有當(dāng)二極管的電流 iD近似等于或大于1mA時(shí)才是正確的。該模型提供 ...[閱讀全文]
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- 2016/10/19半導(dǎo)體二極管的伏安特性曲線(xiàn)
- 半導(dǎo)體二極管的伏安特性曲線(xiàn)，半導(dǎo)體二極管的伏安特性曲線(xiàn)如圖1所示。處于第一象限的是正向伏安特性曲線(xiàn)，處于第三象限的是反向伏安特性曲線(xiàn)。[閱讀全文]
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- 2016/10/19半導(dǎo)體的導(dǎo)電原理
- 半導(dǎo)體的導(dǎo)電原理 不含雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱(chēng)為本征半導(dǎo)體。半導(dǎo)體硅和鍺的最外層電子有四個(gè)，故而稱(chēng)它為四價(jià)元素，每一個(gè)外層電子稱(chēng)為價(jià)電子。為了處于穩(wěn)定狀態(tài)，單晶硅和單晶鍺中的每個(gè)原子的四個(gè)價(jià)電子都要和相鄰原子的 ...[閱讀全文]
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- 2016/10/19本征半導(dǎo)體中的兩種載流子
- 本征激發(fā)在室溫下，本征半導(dǎo)體共價(jià)鍵中的價(jià)電子獲得足夠的能量，掙脫共價(jià)鍵的束縛進(jìn)入導(dǎo)帶，成為自由電子，在晶體中產(chǎn)生電子-空穴對(duì)的現(xiàn)象稱(chēng)為本征激發(fā)。 空穴在本征激發(fā)中，價(jià)電子成為自由電子后共價(jià)鍵上留下空位，這個(gè)空位稱(chēng)為空穴 ...[閱讀全文]
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- 2016/10/14PN結(jié)的工作特性(一)
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- 2016/10/14半導(dǎo)體二極管(一)
- 半導(dǎo)體二極管是由一個(gè)PN結(jié)，加下兩根電極引線(xiàn)和管殼制成的。二極管的符號(hào)如圖4所示。[閱讀全文]
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- 2016/10/14半導(dǎo)體與PN結(jié)
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