三極管靠電流控制，MOS管靠電壓控制，就像三極管聽爸媽的話，MOS管聽老師的話。

mos管是一個四端器件，具有源極 (S)、漏極 (D) 和柵極端子 (G) 和體 (B) 端子。主體經(jīng)常連接到源端子，將端子減少到三個。它通過改變電荷載流子（電子或空穴）流動的通道寬度來工作。

IGBT的工作原理是通過柵極電壓控制集電極與發(fā)射極之間的導(dǎo)通與關(guān)斷，實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換與開關(guān)控制。

‌IGBT模塊與MOS管的主要區(qū)別在于其結(jié)構(gòu)、應(yīng)用場景、電壓和電流處理能力以及開關(guān)速度等方面。‌

igbt模塊與mos的區(qū)別結(jié)構(gòu)差異
IGBT模塊的結(jié)構(gòu)是NPN型MOSFET增加一個P結(jié)，即NPNP結(jié)構(gòu)，利用電導(dǎo)調(diào)制作用，使得IGBT在高壓和大電流下具有很低的壓降。而MOS管則是通過柵極電壓控制漏極電流的通斷，其結(jié)構(gòu)相對簡單。‌