日本欧美一区-日本欧美一区二区三区片-日本强好片久久久久久AAA-日本-区一区二区三区A片-日本人伦一区二区三区-日本人妻A片成人免费看

電子開發網

電子開發網電子設計 | 電子開發網Rss 2.0 會員中心 會員注冊
搜索: 您現在的位置: 電子開發網 >> 基礎入門 >> 模擬電子電路 >> 正文

級聯放大器

作者:佚名    文章來源:本站原創    點擊數:    更新時間:2012-7-3

級聯放大器是一個兩級電路由緩沖放大器的跨導放大器組成。從那句“級聯”級聯“字起源陰極”。該電路有很多優勢,在單級放大器一樣,更好的輸入輸出隔離,更好的收益,提高帶寬,更高的輸入阻抗,輸出阻抗高,穩定性更好,更高的壓擺率等帶寬的增加背后的原因是減少米勒效果。級聯放大器一般構造使用FET(場效應晶體管),BJT(雙極晶體管)。一個階段將在共同的源/共發射極模式通常有線和有線其他階段將在共同的基礎/共發射極模式。

米勒效應。

米勒效應實際上是漏源寄生電容的電壓增益的乘積。漏源寄生電容總是降低帶寬的形勢進一步惡化的電壓增益時,它就會成倍增加。雜散電容mulitiplication增加了有效的輸入電容和放大器,因為我們知道,在輸入電容的增加提高頻率低切,這意味著減少帶寬。米勒效應可減少加在放大器的輸出電流緩沖級,或加入之前,輸入電壓的緩沖階段。

FET級聯放大器。

FET共源共柵放大器 

FET共源共柵放大器

上面顯示了一個典型的共源共柵FET放大器的電路圖。電路的輸入級是FET的共源放大器和輸入電壓(Vin)應用于其門。輸出級是一個FET共柵放大器輸入級驅動。路是輸出級的漏極電阻。從Q2的漏極輸出電壓(Vout)。由于Q2的柵極接地,場效應管Q2的電壓源和場效應管Q1的漏極電壓幾乎不變。這意味著上FET Q2提供了一個較低的FET Q1的低輸入阻抗。這減少了較低的FET Q1的增益和米勒效應也因此被減少,這在增加帶寬的結果。在較低的FET Q1的增益減少不影響整體的增益,因為上部場效應管Q2的補償。上部FET Q2被米勒效應的影響,因為漏源的雜散電容的充電和放電通過漏極電阻和負載和頻率響應,如果只為高頻率的影響(遠遠超過音頻范圍內) 。

在疊接的配置,輸入輸出分離。第一季度,??在漏極和源終端幾乎恒定的電壓,而第二季度有其源極和柵極端子電壓幾乎不變,幾乎沒有什么養活輸出輸入。在電壓方面的重要性,只有點的輸入和輸出端子,他們是由中央連接恒壓分離。

實際級聯放大器電路。

實際級聯放大器電路 

實際級聯放大器電路

一個實用的級聯放大器電路的基礎上場效應管上面顯示。場效應管Q2的電阻R4和R5組成一個分壓器偏置網絡。R3是Q2的漏電阻和漏電流限制。R2是Q1的源電阻和C1是由通電容。R1確保在Q1的柵極在零電壓零信號條件。

Tags:級聯放大器,米勒效應,介紹  
責任編輯:admin
請文明參與討論,禁止漫罵攻擊,不要惡意評論、違禁詞語。 昵稱:
1分 2分 3分 4分 5分

還可以輸入 200 個字
[ 查看全部 ] 網友評論
關于我們 - 聯系我們 - 廣告服務 - 友情鏈接 - 網站地圖 - 版權聲明 - 在線幫助 - 文章列表
返回頂部
刷新頁面
下到頁底
晶體管查詢