所以

   （2）、球殼內(nèi)的場強(qiáng)
    通過點以為球心、為半徑作一封閉球面為高斯面。由于對稱性，該面上場強(qiáng)的數(shù)值都相同，方向沿半徑向外。應(yīng)用高斯定理，得

所以

2、均勻帶電球體的場強(qiáng)
    設(shè)有一半徑為的均勻帶電球體，其所帶電荷的體密度為 ，求球體內(nèi)外的電場強(qiáng)度。
    解：（1）、球體外的場強(qiáng)
    通過點以為球心、為半徑作一封閉球面為高斯面。由于對稱性，該面上場強(qiáng)的數(shù)值都相同，方向沿半徑向外。應(yīng)用高斯定理，得

所以


   （2）、球體內(nèi)的場強(qiáng)
    通過點以為球心、為半徑作一封閉球面為高斯面。由于對稱性，該面上場強(qiáng)的數(shù)值都相同，方向沿半徑向外。應(yīng)用高斯定理，得

所以
 

所以

    若有兩平行無限大均勻帶電平面，其所帶電荷的面密度為。可以證明，在兩平行板中間，電場強(qiáng)度為

    在兩平行板外側(cè)，電場強(qiáng)度為

4、無限長均勻帶電直導(dǎo)線的場強(qiáng)
    設(shè)有一無限長均勻帶電直導(dǎo)線，其所帶電荷的線密度為，求帶電導(dǎo)線周圍的電場強(qiáng)度。

解：過直導(dǎo)線作一高為、截面半徑為r 的封閉圓柱面為高斯面。根據(jù)電場軸的對稱性，通過圓柱側(cè)面的電通量為，通過圓柱底面的電通量為0。由高斯定理，得 所以