一、 電容基本分類

     從基本原理而言，電容器就是能夠儲存電荷的“容器”。其所存儲的正負電荷等量地分布于兩塊不直接導通的導體板上。可以此般描述電容器的基本結構：兩塊導體板（通常為金屬板）中間隔以電介質，即構成電容器的基本模型。由于絕緣材料、構造工藝等的不同，所制成之電容器種類也有所不同：
a 、按結構可分為：固定電容，可變電容，微調電容。
b 、按介質材料可分為： CBB 電容（聚乙烯），滌綸電容、瓷片電容、獨石電容、電解電容、鉭電容等。 c 、按極性分為：有極性電容和無極性電容。

     一般地，電容絕緣材料（介質）決定了電容的關鍵特性。根據介質的不同，同時結合實際應用中的具體情況，這里把電容器簡單分為三類
　第一類：電解類
　電解電容器是指在鋁、鉭、鈮、鈦等閥金屬的表面采用陽極氧化法生成一薄層氧化物作為電介質，以電解質作為陰極而構成的電容器。目前最常用的電解電容有鋁電解和鉭電解。
　廣義上講，電解質包括電解液、二氧化錳、有機半導體 TCNQ 、導體聚合物（ PPy 、 PEDT ）、凝膠電解質 PEO 等。后面的幾種是目前比較尖端的電容器。
　這里要注意“電解質”和“電介質”概念的不同。
　第二類：薄膜類
　以塑料薄膜作為電介質。以往的紙介電容器、塑料薄膜電容器多用板狀或條狀的鋁箔作為電極，現在，大多采用真空蒸鍍的方式在電容器紙、有機薄膜等的表面涂覆金屬薄層作為電極。金屬化工藝使得電極更為纖薄和節省空間，該類電容器在小型化和片式化方面有了長足的發展。
　第三類：瓷介類
　陶瓷電容器采用鈦酸鋇、鈦酸鍶等高介電常數的陶瓷材料作為電介質，在電介質的表面印刷電極漿料，經低溫燒結制成。陶瓷電容器的外形以片式居多，也有管形、圓片形等形狀。

     如下表格是常用電容的結構和關鍵特點：

二 、 單位

    電容的基本單位是： F （法），此外還有 μF （微法）、 pF （皮法）、 nF （納法），由于電容 F 的容量非常大，所以我們看到的一般都是 μF 、 nF 、 pF 的單位，而不是 F 的單位。
具體換算如下：

1F ＝ 1×10⁶μF =10×10⁹nF=10×10¹²pF

三、 標識

     直接標稱法：由于電容體積要比電阻大，所以一般都使用直接標稱法。如果數字是 0.001 ，那它代表的是 0.001uF ＝ 1nF ，如果是 10n ，那么就是 10nF ，同樣 100p 就是 100pF 。

數碼表示法：用 1~4 位數字表示，容量單位為 pF ，如 350 為 350pF ， 3 為 3pF ， 0.5 為 0.5pF 。

色碼表示法：沿電容引線方向，用不同的顏色表示不同的數字，第一，二種環表示電容量，第三種顏色表示有效數字后零的個數（單位為 pF ）。
顏色意義：黑 =0 、棕 =1 、紅 =2 、橙 =3 、黃 =4 、綠 =5 、藍 =6 、紫 =7 、灰 =8 、白 =9 。

四、基本作用

電容器在電子線路中的作用一般概括為：通交流、阻直流。電容器通常起濾波、旁路、耦合、去耦、轉相等電氣作用。用作貯能元件也是電容器的一個重要應用領域，同電池等儲能元件相比，電容器可以瞬時充放電，并且充放電電流基本上不受限制，可以為某些設備提供大功率的瞬時脈沖電流。

1 、隔直流：作用是阻止直流而讓交流通過。
2 、旁路（去耦）：為交流電路中某些并聯的元件提供低阻抗通路。
3 、耦合：作為兩個電路之間的連接，允許交流信號通過并傳輸到下一級電路
4 、平滑或濾波： 將整流以后的脈狀波變為接近直流的平滑波，或將紋波及干擾波慮除。
5 、溫度補償：針對其它元件對溫度的適應性不夠帶來的影響，而進行補償，改善電路的溫度穩定性。
6 、計時：電容器與電阻器配合使用，確定電路的時間常數。
7 、調諧：對與頻率相關的電路進行系統調諧，比如手機、收音機、電視機。

8 、儲能： 儲能型電容器通過整流器收集電荷，并將存儲的能量通過變換器引線傳送至電源的輸出端。電壓額定值為 40 ～ 450VDC 、電容值在 220 ～ 150 000μF 之間的鋁電解電容器為較常見的規格。根據不同的電源要求，器件有時會采用串聯、并聯或其組合的形式， 對于功率級超過 10KW 的電源，通常采用體積較大的罐形螺旋端子電容器。

9、浪涌電壓保護： 開關頻率很高的現代功率半導體器件易受潛在的損害性電壓尖峰脈沖的影響。跨接在功率半導體器件兩端的浪涌電壓保護電容器通過吸收電壓脈沖限制了峰值電壓，從而對半導體器件起到了保護作用，使得浪涌電壓保護電容器成為功率元件庫中的重要一員。

半導體器件的額定電壓和電流值及其開關頻率左右著浪涌電壓保護電容器的選擇。由于這些電容器承受著很陡的 dv/dt 值，因此，對于這種應用而言，薄膜電容器是恰當之選。不能僅根據電容值 / 電壓值來選擇電容器。在選擇浪涌電壓保護電容器時，還應考慮所需的 dv/dt 值。

10 、 EMI/RFI 抑制： 這些電容器連接在電源的輸入端，以減輕由半導體所產生的電磁或無線電干擾。由于直接與主輸入線相連，這些電容器易遭受到破壞性的過壓和瞬態電壓。采用塑膜技術的 X- 級和 Y- 級電容器提供了最為廉價的抑制方法之一。抑制電容器的阻抗隨著頻率的增加而減小，允許高頻電流通過電容器。 X 電容器在線路之間對此電流提供“短路”， Y 電容器則在線路與接地設備之間對此電流提供“短路”。

11 、控制和邏輯電路 ：各類電容器均可能被應用于電源控制電路中。除非是在惡劣環境條件的要求，否則這些電容器的選擇一般都是低電壓低損耗的通用型元件。