日本欧美一区-日本欧美一区二区三区片-日本强好片久久久久久AAA-日本-区一区二区三区A片-日本人伦一区二区三区-日本人妻A片成人免费看

電子開發(fā)網(wǎng)

電子開發(fā)網(wǎng)電子設(shè)計 | 電子開發(fā)網(wǎng)Rss 2.0 會員中心 會員注冊
搜索: 您現(xiàn)在的位置: 電子開發(fā)網(wǎng) >> 電子開發(fā) >> 電子元器件 >> 正文

單結(jié)晶體管原理解析

作者:佚名    文章來源:本站原創(chuàng)    點擊數(shù):    更新時間:2017-6-15

一、單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)和等效電路

單結(jié)晶體管的外形很象晶體三極管,它也有三個電極,稱為發(fā)射極e,第一基極b1,第二基極b2,又叫雙基極二極管。因為只有一個PN結(jié)所以又稱為單結(jié)晶體管。外形及符號如圖(a)、(b)所示。圖中發(fā)射極箭頭指向b1,表示經(jīng)PN結(jié)的電流只流向b1極。單結(jié)管的等效電路如圖(C)所示,rb1表示e與b1之間的等效電阻,它的阻值受e-b1間電壓的控制,所以等效為可變電阻。兩個基極之間的電阻用Rbb表示,即:Rbb=Rb1+Rb2,Rb1Rbb的比值稱為分壓比h=Rb1/Rbbh一般在0.3~0.8之間。

單結(jié)晶體管原理解析

二、工作原理和特性曲線  

伏安特性變化如圖所示。

圖中,當VBB固定,等效電路中,A點對b1的電壓UA=hVBB為定值。當Ue較小時,Ue<UA,PN結(jié)反偏,此時只有很小的反向漏電流IEO(幾微安)如圖中曲線“1”段。
當Ue增大,Ue=UA時,PN結(jié)處于零偏,iE=0。
Ue繼續(xù)增大,當Ue>UA,iE開始大于零,由于硅二極管的正向壓降為0.7V,所以iE不會有顯著的增加,這個電壓稱為峰值電壓UP,對應(yīng)電流稱為峰值電流IP。這一區(qū)域稱為截止區(qū)

單結(jié)晶體管原理解析

Ue繼續(xù)增加,Ue>UA,管子轉(zhuǎn)向?qū)ǎ琍N結(jié)電流開始顯著增加,這時將有大量的空穴進入基區(qū),e、b1間載流子大量增加,使rb1迅速減小,而rb1的減小又使UA降低,導(dǎo)致iE又進一步加大,這種正反饋的過程,使iE急劇增加UA下降,單結(jié)管呈現(xiàn)了負阻特性,圖中曲線“2”線段,到了“C”點負阻特性結(jié)束,C點電壓UV稱為谷點電壓,一般為1~2.5V,對應(yīng)的電流稱為谷點電流Iv,一般為幾毫安。
了谷點之后,繼續(xù)增加Ue,iE~Ue曲線形狀接近二極管導(dǎo)通時的正向特性曲線。如曲線“3”線段,此時稱為飽和區(qū)。飽和壓降一般小于4~5V。
當改變VBB電壓,改變了閥值電壓UA,曲線的峰點電壓也隨之改變。
 

  三、應(yīng)用舉例

振蕩:指在沒有輸入信號的情況下,電路輸出一定頻率、一定幅值的電壓或電流信號。

如圖所示為單結(jié)晶體管組成的振蕩電路,其工作原理如下:

當合閘通電時,電容C上的電壓為零,管子截止,電源VBB通過電阻R對C充電,隨時間增長電容上電壓 單結(jié)晶體管原理解析 (即 單結(jié)晶體管原理解析 )逐漸增大;

單結(jié)晶體管原理解析

一旦 單結(jié)晶體管原理解析 增大到峰點電壓UP后,管子進入負阻區(qū),輸入端等效電阻急劇減小,使C通過管子的輸入回路迅速放電, 單結(jié)晶體管原理解析 兩端電壓隨之減小,一旦 單結(jié)晶體管原理解析 減小到谷點電壓UV后,管子截止;
電容又開始充電,重復(fù)上述過程。
由于充電時間常數(shù)遠大于放電時間常數(shù),當穩(wěn)定振蕩時,電容上電壓的波形如圖所示。

Tags:BT31,參數(shù),基極二極管,單結(jié)晶體管  
責任編輯:admin
請文明參與討論,禁止漫罵攻擊,不要惡意評論、違禁詞語。 昵稱:
1分 2分 3分 4分 5分

還可以輸入 200 個字
[ 查看全部 ] 網(wǎng)友評論
關(guān)于我們 - 聯(lián)系我們 - 廣告服務(wù) - 友情鏈接 - 網(wǎng)站地圖 - 版權(quán)聲明 - 在線幫助 - 文章列表
返回頂部
刷新頁面
下到頁底
晶體管查詢