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磁敏電阻器的結構原理

作者:佚名    文章來源:本站原創(chuàng)    點擊數(shù):    更新時間:2016-11-9

磁敏電阻器(簡稱磁阻)元件是利用電流磁效應制成的傳感器,使用的材料有半導體和強磁性金屬,半導體材料有Insb和GaAs等,強磁性金屬有Ni—Fe和Ni-Co等,它們的磁場都非常微弱,不能單獨使用,要與偏置磁鐵及高增益放大器組合使用。
不同材料的磁阻元件其特性差異較大,對于半導體磁阻元件,若外加磁場,則磁阻元件內(nèi)部電阻增大,對磁場表現(xiàn)為正磁性;對于強磁性金屬磁阻元件,特性正好相反,外加磁場時其內(nèi)部電阻減小,表現(xiàn)為負磁性。 圖2—43為磁阻元件的結構,
圖2—43a是單個磁阻元件的結構,它是在偏置磁鐵的表面上形成磁阻元件的結構,偏置磁鐵要采用稀土族那類小形而磁能積高的磁鐵。圖2—43b為復合型結構,有兩個磁阻元件在同一平面上形成,因而改善了其溫度特性。一般做成差動式使用。

磁敏電阻器的結構原理圖

磁敏電阻器的原理

磁敏電阻器是利用磁阻效應制成的,其阻值會隨穿過它的磁通量密度的變化而變化。

半導體磁阻元件在弱磁場中的電阻率p與磁感應強度B之間有如下的關系:

當半導體材料確定時,磁敏電阻器的阻值與磁感應強度呈平方關系。上式僅適用于弱磁場,在強磁場下,磁敏電阻器的阻值與磁感應強度呈線性關系。

磁敏電阻器多采用銻化鋼(InSb)半導體材料制造。它主要用于測定磁場強度、測量頻率和功率等的測量技術,運算技術,自動控制技術以及信息處理技術,并可用于制作無觸點開關和可變元接觸電位器等。 

折疊磁敏電阻器參數(shù)

1)磁阻比:指在某一規(guī)定的磁感應強度下,磁敏電阻器的阻值與零磁感應強度下的阻值之比。

2)磁阻系數(shù):指在某一規(guī)定的磁感應強度下,磁敏電阻器的阻值與其標稱阻值之比。

3)磁阻靈敏度:指在某一規(guī)定的磁感應強度下,磁敏電阻器的電阻值隨磁感應強度的相對變化率。

折疊磁敏電阻器應用

一般用于磁場強度、漏磁、制磁的檢測;在交流變換器、頻率變換器、功率電壓變換器、位移電壓變換器、等電路中作控制元件;還可用于接近開關、磁卡文字識別、磁電編碼器、電動機測速等方面或制作磁敏傳感器用。

Tags:磁敏電阻器,結構原理  
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