雙向可控硅是在普通可控硅的基礎上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅，而且僅需一個觸發(fā)電路，是比較理想的交流開關器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關之意。

導讀：可控硅工作原理

雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端：TRIode(取前三個字母)
交流半導體開關：ACsemiconductorswitch
(取前兩個字母)
以上兩組名詞組合成“TRIAC”
中文譯意“三端雙向可控硅開關”。

三端雙向可控硅
由此可見“TRIAC”是雙向可控硅的統(tǒng)稱。
雙　向：Bi-directional(取第一個字母)
控　制：Controlled(取第一個字母)
整流器：Rectifier(取第一個字母)
再由這三組英文名詞的首個字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅。以“BCR”來命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱，如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。
雙　向：Bi-directional(取第一個字母)
三　端：Triode(取第一個字母)
由以上兩組單詞組合成“BT”，也是對雙向可控硅產品的型號命名，典型的生產商如：意法ST公司、荷蘭飛利浦-Philips公司，均以此來命名雙向可控硅。
代表型號如：PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、等等。這些都是四象限/非絕緣型/雙向可控硅；
Philips公司的產品型號前綴為“BTA”字頭的，通常是指三象限的雙向可控硅。
而意法ST公司，則以“BT”字母為前綴來命名元件的型號并且在“BT”后加“A”或“B”來表示絕緣與非絕緣組合成：“BTA”、“BTB”系列的雙向可控硅型號，如：
三象限/絕緣型/雙向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600B等等；
四象限/非絕緣/雙向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B等等；
ST公司所有產品型號的后綴字母(型號最后一個字母)帶“W”的，均為“三象限雙向可控硅”。如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”；代表型號如:BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW、、、、等等。
至于型號后綴字母的觸發(fā)電流，各個廠家的代表含義如下：PHILIPS公司：D=5mA，E=10mA，C=15mA，F(xiàn)=25mA，G=50mA，R=200uA或5mA，
型號沒有后綴字母之觸發(fā)電流，通常為25-35mA；
PHILIPS公司的觸發(fā)電流代表字母沒有統(tǒng)一的定義，以產品的封裝不同而不同。
意法ST公司：TW=5mA，SW=10mA，CW=35mA，BW=50mA，C=25mA，B=50mA，H=15mA，T=15mA，注意：以上觸發(fā)電流均有一個上下起始誤差范圍，產品PDF文件中均有詳細說明
一般分為最小值/典型值/最大值，而非“=”一個參數(shù)值。[1]

參數(shù)符號
IT(AV)--通態(tài)平均電流
VRRM--反向反復峰值電壓
IDRM--斷態(tài)重復峰值電流
ITSM--通態(tài)一個周波不反復浪涌電流
VTM--通態(tài)峰值電壓
IGT--門極觸發(fā)電流
VGT--門極觸發(fā)電壓
IH--維持電流
dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率
di/dt--通態(tài)電流臨界上升率
Rthjc--結殼熱阻
VISO--模塊絕緣電壓
Tjm--額定結溫
VDRM--斷態(tài)重復峰值電壓
IRRM--反向重復峰值電流
IF(AV)--正向平均電流

常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。

伏安特性:

反向特性

當控制極開路，陽極加上反向電壓時，J2結正偏，但J1、J3結反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流，當電壓進一步提高到J1結的雪崩擊穿電壓后，接差J3結也擊穿，電流迅
速增加，特性開始彎曲，如特性OR段所示，彎曲處的電壓URO叫“反向轉折電壓”。此時，可控硅會發(fā)生永久性反向。
正向特性

當控制極開路，陽極上加上正向電壓時，J1、J3結正偏，但J2結反偏，這與普通PN結的反向特性相似，也只能流過很小電流，這叫正向阻斷狀態(tài)，當電壓增加，特性發(fā)生了彎曲，如特性OA段所示，彎曲處的是UBO叫：正向轉折電壓，由于電壓升高到J2結的雪崩擊穿電壓后，J2結發(fā)生雪崩倍增效應，在結區(qū)產生大量的電子和空穴，電子時入N1區(qū)，空穴時入P2區(qū)。進入N1區(qū)的電子與由P1區(qū)通過J1結注入N1區(qū)的空穴復合，同樣，進入P2區(qū)的空穴與由N2區(qū)通過J3結注入P2區(qū)的電子復合，雪崩擊穿，進入N1區(qū)的電子與進入P2區(qū)的空穴各自不能全部復合掉，這樣，在N1區(qū)就有電子積累，在P2區(qū)就有空穴積累，結果使P2區(qū)的電位升高，N1區(qū)的電位下降，J2結變成正偏，只要電流稍增加，電壓便迅速下降，出現(xiàn)所謂負阻特性。
這時J1、J2、J3三個結均處于正偏，可控硅便進入正向導電狀態(tài)---通態(tài)，此時，它的特性與普通的PN結正向特性相似