日本欧美一区-日本欧美一区二区三区片-日本强好片久久久久久AAA-日本-区一区二区三区A片-日本人伦一区二区三区-日本人妻A片成人免费看

電子開(kāi)發(fā)網(wǎng)

電子開(kāi)發(fā)網(wǎng)電子設(shè)計(jì) | 電子開(kāi)發(fā)網(wǎng)Rss 2.0 會(huì)員中心 會(huì)員注冊(cè)
搜索: 您現(xiàn)在的位置: 電子開(kāi)發(fā)網(wǎng) >> 電子開(kāi)發(fā) >> 電源專欄 >> 正文

mos管驅(qū)動(dòng)電路詳解

作者:佚名    文章來(lái)源:本站原創(chuàng)    點(diǎn)擊數(shù):    更新時(shí)間:2021/12/22

mos管工作電路

工作頻率和驅(qū)動(dòng)信號(hào)的占空比不是很大,并且VMOS的功率規(guī)格也不是很大時(shí),普通并不需求為VMOS配置特地的驅(qū)動(dòng)電路。通用的CMOS半導(dǎo)體(互補(bǔ)金屬氧化物品體管邏輯IC)、TTL(晶體管邏輯)集成電路、常見(jiàn)的PWM專用IC的輸出級(jí)都能夠直接驅(qū)動(dòng)VMOS。這種驅(qū)動(dòng)方式普通適用于驅(qū)動(dòng)信號(hào)的產(chǎn)生及控制電路與VMOS構(gòu)成的功率級(jí)電路共地的狀況。


TTL集成電路的邏輯電平為5V,輸出級(jí)通常由BJT(雙極性晶體管)組成,信號(hào)普通從集電極輸出,這就是常說(shuō)的“集電極開(kāi)路輸出”,當(dāng)然,輸出級(jí)也有采用MOSFET的,這就是“開(kāi)漏輸出”。上述開(kāi)路輸出方式需求外部電路配置偏置電阻,以樹(shù)立工作點(diǎn),限定輸出電流(圖5.71)。

通用IC的峰值電流驅(qū)動(dòng)才能通常都不會(huì)超越1A,這是限制其驅(qū)動(dòng)才能的主要要素。圖中的上拉電阻R3決議了驅(qū)動(dòng)才能的大小和性能。R4是柵極泄放電阻,作用是在柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)沒(méi)有時(shí)疾速泄放掉輸入電容的電荷。R4越小越有利于VMOS的疾速關(guān)斷,但是義會(huì)增加控制電路的驅(qū)動(dòng)擔(dān)負(fù),普通而言,R4的取值不應(yīng)該小于控制電路的輸出阻抗。



在驅(qū)動(dòng)才能有限的條件下,為了減小引線寄生電感的影響,VMOS間隔控制電路越近越好。為了防止柵極電流對(duì)控制電路的影響,圖中的旁路( Bypass)電容也是引薦要采剛的,普通采用聚酣、CBB、瓷片等無(wú)極性電容,容量為0.1~lμF即可。

采用TTL集成電路驅(qū)動(dòng)MOS另一個(gè)需求留意的問(wèn)題是,工作電壓至少要高于VMOS的開(kāi)啟電壓VGS(th),而且要保證圖中A點(diǎn)的驅(qū)動(dòng)電壓高于開(kāi)啟電壓。用CMOS來(lái)驅(qū)動(dòng)根本上不需求思索這樣的問(wèn)題,由于此類Ic能夠提供12V左右的信號(hào)電平(圖5.72)。


TTL和CMOS集成電路自身能夠搭接成振蕩電路,產(chǎn)生方波等信號(hào),因此,除了功用上沒(méi)有專用的PWM強(qiáng)大以外(通常的主要區(qū)別是維護(hù)電路),在簡(jiǎn)單的應(yīng)用中是很便當(dāng)?shù)摹?

圖5. 72中的TTL和CMOS電路符號(hào)畫(huà)成了(邏輯)門(mén)電路的方式。門(mén)電路輸出的波形十分規(guī)整,關(guān)于方波而言,就是十分“方”的波形,十分合適驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)電路廠作,只是功率輸出才能有限,普通稱之為“電平信號(hào),常見(jiàn)的邏輯門(mén)電路符號(hào)如圖5.73所示,關(guān)于它們的概念,很容易找到相關(guān)的公開(kāi)材料,也不是本書(shū)討論的主要內(nèi)容,在此不再贅述。



專用的PWM集成電路針對(duì)詳細(xì)的應(yīng)用增加了一些適用的功用,經(jīng)典的型號(hào)莫過(guò)于UC3842,TL494了,它們當(dāng)然也能夠直接驅(qū)動(dòng)VMOS(圖5.74)。這些IC的輸出級(jí)普通為“圖騰柱”電路,驅(qū)動(dòng)才能更強(qiáng),像TL494的輸出級(jí),既可以提供圖騰柱輸出,也能夠提供集電極升路輸出。



圖騰柱屬于推挽電路,因而能夠主動(dòng)對(duì)VMOS的柵極停止放電,這樣一來(lái),柵極泄放電阻能夠省略,也能夠取比擬大的數(shù)值,以防萬(wàn)一。假如IC內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)才能缺乏,外部能夠增加擴(kuò)流電路,常見(jiàn)的電路方式也是圖騰柱的電路。關(guān)于集電極開(kāi)路輸出的IC,如TTL集成電路,外接擴(kuò)流電路時(shí),通常并不從集電極取信號(hào),而是從發(fā)射極取信號(hào)(圖5. 75),這樣—來(lái),內(nèi)部的集電極開(kāi)路輸出級(jí)就變成了射極跟隨器,既降低了輸出阻抗,也有利于開(kāi)關(guān)速度的進(jìn)步。
擴(kuò)流電路普通用來(lái)驅(qū)動(dòng)大電流規(guī)格的VMOS,為了減小驅(qū)動(dòng)控制電路與功率級(jí)電路之間的互相干擾,通常會(huì)采用各自獨(dú)立的電源。為了簡(jiǎn)化圖線的相互穿插以有利于讀圖,地(也稱為參考點(diǎn))和電源也會(huì)在恰當(dāng)?shù)闹醒敕謩e畫(huà)出,這種畫(huà)法疏忽了連線的電阻以及阻抗,最初多見(jiàn)于歐美電路原理圖中。在實(shí)踐布線時(shí),應(yīng)該留意它們的影響。

Q3、Q4既能夠采用通用的小功率晶體管,也能夠采用小功率互補(bǔ)對(duì)管,如FPQ6502等等。
Tags:mos管  
責(zé)任編輯:admin
相關(guān)文章列表
你知道三極管,MOS管,IGBT的區(qū)別嗎?圖解MOS管
運(yùn)放和mos管恒流電路解讀_電路設(shè)計(jì)解析: 由運(yùn)放和三極管組成恒流
MOS管發(fā)熱的原因
萬(wàn)用表測(cè)量mos管_mos管測(cè)好壞,這四種方法你一定要會(huì),幾分鐘,快
全面認(rèn)識(shí)MOS管,一篇文章就夠了,場(chǎng)效應(yīng)管原理
如何實(shí)現(xiàn)電機(jī)運(yùn)行2小時(shí)、停止2小時(shí),依次循環(huán)?西門(mén)子plc的起保停
MOS管損壞之謎,看完后疑惑終于解開(kāi)了!MOS管損壞的五大主要原因
MOS管電流方向能反嗎?體二極管能過(guò)多大電流?
場(chǎng)效應(yīng)管原理 MOS管原理
幾種MOS管驅(qū)動(dòng)電路的方法,電源IC直接驅(qū)動(dòng)
nmos和pmos有什么區(qū)別
mos管電平導(dǎo)通與截止 mos管導(dǎo)通和截止條件
MOS管工作原理動(dòng)畫(huà)基礎(chǔ)知識(shí)-MOS管工作動(dòng)畫(huà)原理圖詳解
MOS管驅(qū)動(dòng)電路詳細(xì)分析  NMOS的驅(qū)動(dòng)電路和PMOS的驅(qū)動(dòng)電路
MOS管驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)-MOS管特性-各種開(kāi)關(guān)電源mos管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)詳解
P溝道和N溝道MOS管開(kāi)關(guān)電路圖 mos管符號(hào)
MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開(kāi)關(guān)電路
詳解三極管和場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量方法,mos管測(cè)量
用MOS管防電源反接電路原理
基波皮爾斯振蕩器電路圖,LC振蕩電路mos管放大電路
請(qǐng)文明參與討論,禁止漫罵攻擊,不要惡意評(píng)論、違禁詞語(yǔ)。 昵稱:
1分 2分 3分 4分 5分

還可以輸入 200 個(gè)字
[ 查看全部 ] 網(wǎng)友評(píng)論
推薦文章
最新推薦
關(guān)于我們 - 聯(lián)系我們 - 廣告服務(wù) - 友情鏈接 - 網(wǎng)站地圖 - 版權(quán)聲明 - 在線幫助 - 文章列表
返回頂部
刷新頁(yè)面
下到頁(yè)底
晶體管查詢